近日三星電子宣布，公司已成功開發出首款采用12納米級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM。目前，三星電子已經與AMD完成了針對該新品的兼容性產品評估。

據三星電子方面透露，新款DRAM將成為下一代計算、數據中心和AI驅動系統等領域更可持續運營的基礎。AMD方面則表示，AMD與三星電子的再度合作，主要圍繞在Zen平臺上優化和驗證的DDR5內存產品展開。

三星電子12納米級DDR5 DRAM的技術突破，通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。結合先進的多層極紫外光刻技術，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圓生產率提高20%。在傳輸速度上，三星12nm級DRAM基于DDR5最新標準，擁有7.2千兆每秒（Gbps）的傳輸速度，一秒內可處理兩部30GB超高清電影。

功耗方面，與上一代三星DRAM產品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。三星電子透露，新款DRAM將于2023年量產，同時公司還計劃將新DRAM產品擴展到更廣泛的市場領域。。