電力電子元器件進入了第四代—“三高”時代，既高性能化、高智能化、高集成化。高性能化主要包括高電壓、大容量、低損耗、快速化和高可靠。如IGBT在未來不久電流可達到2—3KA、電壓達到4—6KV，在所有的復合器件中首要的攻克目標就是降低損耗。預計在不久之后IGB、IPM等器件的導通電壓可降到1V以下，而電力MOSFET、IBGT、MCT等器件的應用頻率將達到千KHz。
       高智能化主要是將電源電路、保護器、PWM控制電路等都集成在一個芯片上制成一個完整的系統智能集成的功率變換器。高集成化主是將驅動器、自動保護器、自診斷功能的IC與電力電子器件集成在一個模塊中。由于不同的電子元器件、集成電路的封裝或相互連接方式的不同，以及后期寄生數據參數的問題已成為影響電力電子系統性能的關鍵問題，IPEM為我們提供了一個可以減少設計工作量，提高了系統質量、同時增加了優化了可靠性和可維護性的方法。